Лауреат
Ренато Зеноби
Профессор аналитической химии в Лаборатории органической химии Швейцарской высшей технической школы Цюриха (ETH)
Родился в 1961 году в Цюрихе. В 1986 году получил степень магистра в Швейцарской высшей технической школы Цюриха, в 1990 году — докторскую степень Стэнфордского университета в США. Затем работал научным сотрудником в Питтсбургском университете (1990-1991 гг.) и в Мичиганском университете (1991 г.). В 1992 году Ренато Зеноби вернулся в Швейцарию — в Федеральную политехническую школу Лозанны на должность научного сотрудника Вернера, где создал собственную исследовательскую группу. В 1995 году стал ассистентом профессора в Федеральном институте технологий в Цюрихе, в 1997 году занял должность адъюнкт-профессора, а затем профессора, в 2000 году. В 2002-2003 гг. и в 2011-2012 гг. возглавлял Лабораторию органической химии, в 2006-2008 гг. являлся президентом университетской ассамблеи ETH (Hochschulversammlung, HV), а также председателем конференции лекторов (Konferenz des Lehrkörpers, KdL) Федерального института технологий в Цюрихе в 2006-2010 гг. В 2004/2005 гг. Р. Зеноби работал приглашенным профессором в Институте Барнетта (Бостон), в 2010 году — в институте Кюри (Париж). В 2010 году был назначен Ответственным редактором издания Analytical Chemistry (Американского химического общества). Являлся председателем Международной конференции по масс-спектрометрии, состоявшейся в Женеве, Швейцария, в 2014 году.
Области исследования Р. Зеноби включают лазерную аналитическую химию, электрораспыление и лазерно-стимулированную масс-спектрометрию, наружную масс-спектрометрию и оптическую микроскопию, спектроскопию ближнего поля. Р. Зеноби внес важный вклад в понимание механизма ионообразования в матрично-активированной лазерной десорбции/ионизации масс-спектрометрии (MALDI) и в методы наружной ионизации. Он хорошо известен в связи с разработкой аналитических инструментов наноуровня, в частности, для спектроскопии локального усиления рамановского рассеяния (TERS) — метода спектроскопии, используемого для облучения наночастиц размером ≈ 10 нм.